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 石墨烯系列产品 >> CVD碳化硅衬底单层石墨烯|CVDSiC衬底单层石墨烯 >> CVD碳化硅衬底单层石墨烯|CVDSiC衬底单层石墨烯 产品编号：11110365316产品名称：CVD碳化硅衬底单层石墨烯|CVDSiC衬底单层石墨烯规格：产品备注：产品类别：石墨烯系列产品    产品说明通常，石墨烯大多是在金属表面上用CVD技术生长的，在微电子或电子器件的应用中不得不将其从导电的金属上用化学方法剥离，将其置于分离的衬底上再应用。这在器件的制备上存在很大的局限性，而在半绝缘(高阻)SiC衬底上生长的石墨烯可以直接用来制备电子器件，如高频电子器件、光电子器件及量子器件等，尤其是在SiC衬底上用CVD技术生长的石墨烯与CMOS工艺兼容，因而无需进行衬底转移，即可应用于电子器件研制。在4H和6H型SiC衬底上生长单层/双层和三层石墨烯晶型晶体性质石墨烯生长面石墨烯4H-SiC半绝缘型4H-SiC的Si面4H-SiC的C面P型或N型4H-SiC导电型4H-SiC的Si面4H-SiC的C面—6H-SiC半绝缘型6H-SiC的Si面6H-SiC的C面P型或N型6H-SiC导电型6H-SiC的Si面6H-SiC的C面—标准尺寸10mmx10mm，15mmx15mm，2英寸x2英寸，4英寸x4英寸标准尺寸φ2英寸，φ3英寸，φ4英寸，φ5英寸，φ6英寸定制尺寸根据客户要求 描述：● 生长方法：CVD生长● 覆盖率：100%● 石墨烯层数：1层，2层，3层● 单层厚度：0.345nm● 载流子密度：N型5x10¹¹-1.5x10¹³cm^-2，P型1x10¹³-1.5x10¹³cm^-2● N型迁移率：3000cm²/Vs● P型迁移率：可达6500乃至8000cm²/Vs(温度：300K) 应用● 高频电子器件● 光电子器件● 量子器件● 自旋电子学● 光电探测器● 新碳电子学● 石墨烯半导体芯片● 石墨烯计算机存储器● 生物技术● 生物传感器