半导体氢气净化机实验室氢气净化器全自动高纯氢气净化装置H2气体的年处理量500吨(7200小时/年),氢气中的氧气初始含量:《1%(体积分数)。
      半导体氢气净化机实验室氢气净化器全自动高纯氢气净化装置氢气进入燃烧炉前需要增加干燥器,要求水分为0  ;纯化后的氧气含量要求小于10ppm  。
离子膜烧碱氢气出口压力:18KPa;纯化处理后氢气中氧气含量《1ppm
        离子膜烧碱氢其纯度大于99.%,氢气中仍含有1%杂质,而氧气的含量占的比重较大,水分的含量也较多,为了获取纯度为99.999%的氢气,我们可以采用除氧、脱水及其它杂质的工艺措施,即可获得高纯度的氢气。鉴于原料氢气压力过低,我们采取纯化前增压纯化后减压的工艺来保证设备的占地面积及设备预算。
        氢气纯化的工艺流程为:
                  原料氢→储罐→氢气增压机→储罐→除氧→冷凝→吸附干燥→过滤→高纯氢
脱除氢气中的氧气采用了催化剂原理,催化剂采用活性较高的钯催化剂,氧气与氢气在催化剂作用下反应生成水,这种转化几乎是100%。利用冷凝器将饱和的水排放出来,其余的水将随氢气进入吸附干燥器,被分子筛吸附掉,同时吸附掉二氧化碳及氮气。经过纯化处理后的氢气通过精密过滤器除掉尘埃,这样我们就可以获得纯度为99.999%的氢气。
半导体氢气净化机实验室氢气净化器全自动高纯氢气净化装置
  主要技术指标
1、  处理气量                                                      20m3/h
2、  工作压力                                                      0.3Mpa
3、  氢气纯度                                                      O2≤1ppm   
                                                                            H2O≤2.6ppm
                                                                      粉尘颗粒≤3个/升(100级)
4、  吸附干燥器工作时间                                  ≥24h
5、  吸附干燥器再生时间                                  ≤8h
6、  吸附干燥器工作温度                                    常温
7、  吸附干燥器再生温度                                    300℃
8、  再生气消耗                                                    8m3/24h
9、  电源                                                                220v          60H