利用扫描式电子显微镜(SEM)量测PMM
利用扫描式电子显微镜(SEM)量测PMMA 受EUV 光照射后
的样品表面图貌,并观测到PMMA 随着曝光剂量的相变化,其相变化表
面形貌的差异可能是因为释气物质无法释出所致,此一现象为剥蚀现象
导致薄膜样品膜厚的变异
但因物效应性质;故在EUV 区段中,涂布底部抗反射层其主
要功能是增加光阻附着www.aosvi.com 力、避免因底层下方污染扩散至光阻所产生的光
阻毒化现象、增进平坦化之辅助成像功能,故在EUV 微影光阻底下辅助
成像的材料又称为底层材料(UL, Underlayer material)