随着科学技术的不断发展,我国通信技术在国家的大力支持下,开始着力于电子通信产品的研发。我们正处于信息时代,与数年前相比,当前集成器件的微型化趋势也造成了
手机中需要用到大量的ESD保护元件,过去主要都是采用压敏电阻,但是随着TVS在性能、尺寸等各方面的提高,现在有越来越多的手机制造商开始选择和我们合作。
ESD对于电路引起的干扰、对元器件、电路及接口电路造成的破坏等问题越来越引起人们的重视。目前手机的功能越来越强大,而电路板却越来越小,集成度越来远高,使得其E
随着半导体工艺向65nm以下的转移,芯片集成度不断提高,IC的外形尺寸变得越来越小,但同时也更容易受到ESD损坏。与此同时,为了提供有效的静电防护,ES
ESD静电二级管是一种过压、防静电保护元件,是为高速数据传输应用的I/O端口保护设计的器件。ESD保护器件是用来避免电子设备中的敏感电路受到ESD(静电
近年来,随着电子信息技术、通讯技术、超大规模集成电路等方面的发展,芯片的尺寸越来越小,要求的工作电压也越来越低,这就对保护电路的保护元件也提出了体积更小
pstylefontsize14px集成电路产业的发展给人们的生活和工作带来了日新月异的变化。当前半导体器件日益趋向小型化、高密度和多功能化,特别像消费电子和便携式产品等对主板面积要求比较严格的应用,很容易受到静电放电ESD的影响。pbrp
3030绿光、蓝光led灯珠1.0w功率 3030绿光、蓝光led灯珠1.0w功率 3030绿光、蓝光led灯珠1.0w功率
BORN二极管LC05CI/5V/SOD-323-1206贴片保险丝12110系列-茂思通科技SMDTVS贴片系列包括SMAJ,SMBJ,SMCJ,SMDJ,
USB2.0的数据传输率达480Mbps。手机、MP3播放器和其它电子产品中,通用串行总线(USB)已经成为一项流行特性。USB使得数据在不同电子设备之
pstylefontsize14px业界正在采用最先进的技术制造先进的系统级芯片(SoC)。设计人员为了优化功能及芯片尺寸,正在持续不断地减小其芯片设计的最小特征尺寸。但相应的代价是:随着特征尺寸减小,器件更易于遭受ESD损伤。当今的集成电
SES5VD323-2B(双向)系列通用ESD静电二极管阵列,以取代多层压敏电阻(MLV)用于保护因静电放电(ESD)和其它瞬态现象导致的对电子设备的破
随着智能手机、可穿戴设备、平板电脑、笔记本电脑、办公设备和液晶面板等电子设备不断小型化并提供日益增强的高性能特性,这些电子设备所使用的半导体产品也日益小
pstylefontsize14px随着科学技术的飞速发展,电子、通信、航天航空等高新产业的迅速崛起,尤其是电子仪器仪表和设备等电子产品日趋小型化、多功能及智能化。高密度集成电路已成为电子工业对上述要求中不可缺少的器件。这种器件具有线间距短
16kV) 7、IEC61000-4-2(ESD)±15kV(空气),±8kV(接触) 8、IEC61000-4-4(EFT)40A(
由于瞬态抑制二极管具有响应时间快、瞬态功率大、漏电流低、击穿电压偏差小、箝位电压较易控制、无损坏极限、体积小等优点。主要封装有:SMFSMAJSMBJS
高清晰度多媒体接口(英文:HighDefinitionMultimediaInterface,HDMI)是一种数字化视频/音频接口技术,是适合影像传输的
瞬态抑制二极管的特点   优点:响应时间快、瞬态功率大、电容低、漏电流低、击穿电压偏差小、箝位电压较易控制、无损坏极限、体积
瞬态抑制二极管能以10的负12次方秒量级的速度,将其两极间的高阻抗变为低阻抗,吸收高达数千瓦的浪涌功率,使两极间的电压箝位于一个预定值,有效地保护电子线
瞬态电压抑制器二极管(瞬态抑制二极管——TVSDiode)专门用于保护电子电路,以防受到瞬变和过压的危害,例如:EFT(电气快速瞬变)以及ESD(静电放
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