青州迈特科创材料有限公司

产品介绍    氮化铝就是由ⅢA族元素Al和ⅤA族元素N化合而成的半导体材料。分子式为AlN。室温下禁带宽度为6.42eV，属直接跃迁型能带结构。 产品属性  (1)热导率高(约320W/m·K)，接近BeO和SiC，是Al2O3的5倍以上；   
(2)热膨胀系数(4.5×10-6℃)与Si(3.5~4×10-6℃)和GaAs(6×10-6℃)匹配；   
(3)各种电性能(介电常数、介质损耗、体电阻率、介电强度)优良；   
(4)机械性能好，抗折强度高于Al2O3和BeO陶瓷，可以常压烧结； 使用方法   请严格按照产品出厂说明书使用，如出现不能解决的问题及时拨打售后服务点电话。主要特点  (1)热导率高(约320W/m·K)，接近BeO和SiC，是Al2O3的5倍以上；   
(2)热膨胀系数(4.5×10-6℃)与Si(3.5~4×10-6℃)和GaAs(6×10-6℃)匹配；  
 (3)各种电性能(介电常数、介质损耗、体电阻率、介电强度)优良；   
(4)机械性能好，抗折强度高于Al2O3和BeO陶瓷，可以常压烧结；   
(5)纯度高；   
(6)光传输特性好；  
 (7)无毒；   
(8)可采用流延工艺制作。是一种很有前途的高功率集成电路基片和包装材料。功能用途   由于氮化铝压电效应的特性，氮化铝晶体的外延性伸展也用於表面声学波的探测器。而探测器则会放置於矽晶圆上。只有非常少的地方能可靠地制造这些细的薄膜。其他说明AlN是原子晶体，属类金刚石氮化物，最高可稳定到2200℃。室温强度高，且强度随温度的升高下降较慢。导热性好，热膨胀系数小，是良好的耐热冲击材料。抗熔融金属侵蚀的能力强，是熔铸纯铁、铝或铝合金理想的坩埚材料。氮化铝还是电绝缘体，介电性能良好，用作电器元件也很有希望。交易说明  欢迎广大客户来厂参观、选购！