西尼特（北京）电炉有限公司

      CNT生产的CVD（真空化学气相沉积炉）是一种用于在基片上生成高质量TiC、SiC、SiO2、Si3N4  专用设备。淀积温度能够较高  (100～1800℃可调  )  ，它已成为机械制造工业、冶金工业、光学工业、半导体工业等领域微电子和光电子领域科研和生产不可缺少的设备。
        ※产品结构：

CNT公司CVD设备主要由全真空专用不锈钢腔体，分子泵高真空系统，电源，生长机体载体及温控系统，独立排气和生长压力调节系统，冷却循环水辅助设备等组成。整机结构紧凑、操作方便、抽真空速度快。此设备控制系统采用逻辑按钮手动控制与工控机自控控制可选。实现真空抽气和镀膜工艺一体化功能。此设备可用于制作SiO2、Si3N4、非晶Si：H、多晶Si、SiC、W、Ti-Si、GaAs、GaSb等介电、半导体及金属膜等。

参数名称

单

位

型                                  号

CVD-4-18

CVD-8-18

CVD-12-18

CVD-16-18

CVD-20-18

额定功率

KW

  21

30

45

60

75

额定电压

V

380

380

380

380

380

最高温度

℃

1800

1800

1800

1800

1800

工作温度

℃

≤1700

≤1700

≤1700

≤1700

≤1700

真空度

6.67pa

6.67pa

6.67pa

6.67pa

6.67pa

基片台尺寸

直径

4英寸

8英寸

12英寸

16英寸

20英寸

基片台转速

0-20RPM

0-20RPM

0-20RPM

0-20RPM

0-20RPM

保温材料

V