(1)场效应管是电压控制器件,它通过VGS来控制ID;
(2)场效应管的输入端电流极小,因此它的输入电阻很大。
(3)它是利用多数载流子导电,因此它的温度稳定性较好;
(4)它组成的放大电路的电压放大系数要小于三极管组成放大电路的电压放大系数;
(5)场效应管的抗辐射能力强;
(6)由于不存在杂乱运动的少子扩散引起的散粒噪声,所以噪声低
产品参数:
电流:8A 电压:500V ~ 650V
电阻:0.56Ω~1.16Ω 种类:绝缘栅(MOSFET)
沟道类型:N沟道 导电方式:增强型
用途:L/功率放大 材料:N-FET硅N沟道
开启电压: 500(V) 夹断电压: 标准(V)
跨导: 标准(μS) 极间电容: 标准(pF)
低频噪声系数: 标准(dB) 最大漏极电流: 标准(mA)
最大耗散功率: 标准(mW) 最大结温:150 ℃
常有封装:TO-220/220F TO-251/252