场效应管(FET),把输入电压的变化转化为输出电流的变化。FET的增益等于它的跨导,定义为输出电流的变化和输入电压变化之比。市面上常有的一般为N沟道和P沟道<
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代理特诺TIONER半导体全系列产品 TNPF2N65G TNPF4N65G TNPF5N65G TNP
ST是全球性的独立半导体制造商。公司设计、生产、销售一系列半导体IC和分立器件,用于远程通讯系统、计算机系统、消费电子产品、汽车和工业自动化控制系统。S
KIA半导体是国家级高新技术企业专注于功率半导体技术开发,2007年在韩国浦项工科大学(NINT)内拥有专业跨国合作的设计研发团队和8英寸VD-MOS晶圆厂。
高压MOS场效应管nbspnbspnbspp型号pp类型ppVBRppDSSppVGSppVGSppthppID25oCppIDM25oCppRDSonppVGS10VppPD25oCpp封装形式pp代替型号ppnbspppPTRUDppF
高压MOS场效应管    型号 类型 V(BR) DSS VGS
N+P沟道MOSFET NCE1205DFN2X2-6L12V5A1.9W12V 24mΩNCE1205DFN2X2-6L-12V-5A1
单P沟道低压MOS场效应管 型号类型V(BR) DSSVGSID 25oCVGS(th) typPD(W) 25oCRDS(on) 10VR
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