LT198/MXT198N三极管阵列集成电路

198N是由五个NPN硅晶体管组成的三极管阵列厚膜集成电路。其中，两个三极管通过内部引线连接形成差分对管，它既可在通用的电路中作为高性能分立晶体管使用，也可用作专门的晶体管阵列使用。采用特殊加工工艺和优选芯片，确保三极管阵列具有良好的电性能匹配、良好的热性能匹配和极好的通道隔离度（通道绝缘电阻大于1010Ω）。电路采用了14线陶瓷扁平封装，工作温度范围为-55~125℃ 参数名称 符号 测试条件 规范值 单位 最小值 典型值 最大值 集电极-基极击穿电压 V(BR)CBO IC=0.01mA 50 V 集电极-发射极击穿电压 V(BR)CEO IC=0.1mA 45 V 集电极-基极截止电流 ICBO VCB=30V 0.01 0.1 μA 集电极-发射极截止电流 ICEO VCE=30V 0.1 5 μA 集电极-发射极的饱和电压 VCE(sat) IB=1mA， IC=10mA 0.2 0.5 V 基极-发射极的饱和电压 VBE(sat) IE=10mA， VCE=3V 0.8 1.2 V 正向电流放大倍数 hFE VCE=10V， IC=10mA 60 150 正向电流放大匹配误差 ΔhFE VCE=10V， IC=10mA 10 % 特征频率 fT VCE=10V， IC=3mA 200 MHz