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士兰微SVF14N50F【80V降压控制芯片】

MOS管(场效应管)　封装形式有SOT-23，TO-92，TO-251，TO-126，TO-252，TO-220A，TO-220F广泛应用于LED驱动电源、开关电源
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我司高压MOS全线采用飞思卡尔(FREESCALE)生产线技术，IR代工厂出品，产品余量设计充足，华润集团投资30亿RMB，国内一流照明企业首选产品，是您提质量，降成本的好方案
低压MOS: SKY2301GD， SKY2302GD， SKY9435GP， SKY8205GW， SKY3401GD， AO3400A
AO3400， AO3402， AO3416， AO3414， AO3415， AO3415A， AO3401， AO3403， AO3407， AO34　07A， AO3409，
高压MOS:1N60，　1N80，　2N10，　2N60，　2N65，　3N25，　3N50，　3N80，
4N60，　4N65，　4N80，　4N90，　5N20，　5N60，　6N60，　7N60，　7N65，
8N60，　8N65，　8N80，　9N90，　10N60，　10N65，　12N50，　12N60，　12N65，　13N50，　20N60，75N75
IRFU214BA3HD(TO-251)，IRF630A8H(TO-220A)，IRF640A8H(TO-220A)
IGBT：BT15N120(3P)，　BT15N120ANH(3P)
AC-DC产品中，内置功率MOS，采用士兰微自主高压启动专利技术PWM+PFM控制器SDH696X的待机功耗可做到40mW、符合六级能效要求，可应用于12～20W适配器。该高压启动技术将广泛应用于士兰微AC-DC、LED照明等产品系列，有利于降低系统待机、提升效率、实现快速启动，并可省略启动电阻，简化外围。此外，士兰微在现场还展示了采用内置新一代MOSFET贴片封装的AC-DC PSR电路SD8585S，应用于小体积的5V 2A充电器。
另外F-CellTM Series高压MOSFET、IPM模块等产品和方案也受到了参会嘉宾的广泛关注。
士兰微电源及功率驱动产品具有高压大电流、高可靠性、高效率、低待机、高功率密度等特点，产品开发采用设计与制造一体的模式，具有很高的性价比和市场竞争力，受到了嘉宾们的一致好评。其中LED照明方面，士兰微已经推出了多系列具有自主知识产权的创新产品，在批量一致性、效率、可靠性、方案成本方面表现优异。
士兰微将整合公司的射频和MCU产品技术能力，在智能照明等应用领域推出系统级解决方案，以满足日益增长的市场需求；士兰微在AC-DC转换电路方面拥有多项自主专利技术，已逐步推出多款符合六级能效（65W以下适配器、充电器）和低待机的新产品；而无刷直流电机驱动模块产品则集合了士兰微在IGBT等高压功率器件和高压集成电路方面多年的领先优势，形成了多款IPM模块封装外形和数十个IPM产品门类，可应用于20～1500W的变频电机驱动，满足直流无刷化、调速变频化的需求。