高端品质芯片SVF6N60F士兰微MOS管       SVF6N60F,MJ,D,S
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1.POWER MOSFE :CS1N60A1H,CS1N60A3H CS1N60A4H CS2N60A3HY,CS2N60A4H   CS2N60FA9H CS4N60A3H,CS4N60A4H CS4N60FA9H CS5N60A3H CS5N60FA9H CS5N60A8H CS5N60A4H CS6N60A4H CS6N60A3H CS6N60FA9H,CS7N60FA9H CS7N60A8H,CS8N60FAH CS8N60A8H CS10N60A8H CS10N60FA9H CS12N60FA9H CS12N60A8H CS20N60FA9H CS20N60A8H CS20N60AN CS630,CS634,
CS640,CS730,CS740,CSZ44V,CS75NF75 CS8N60 CS10N60 CS12N60 CS20N60 CS15N60
    2、功率开关晶体管: 3DD13001,3DD13002,3DD13003,3DD13005,3DD13007,3DD13009    
    3、中频晶体管:3CA8772,3CA882,3DG5551
    4、肖特基二极管:2CZ2040,2CZ2045,2CZ3045,2CZ10100,2CZ10200,2CZ20100,2CZ20200 2CZ3045 2CZ30150.MBR2045 BMR3045 MBR10100 MBR10200 MBR20100 MBR3045 MBR30100 MBR30200    
可用于电源适配器和充电器的开关电路及LED电源
 
分立器件
以士兰微电子先进、稳定的芯片生产线工艺制造平台和强大的产能为基础,公司开发出了多种半导体分立
器件产品,主要应用于高压功率和特殊结构的器件产品领域,是国内最具规模的器件供应商,部分产品已
经入国际知名品牌企业并被大量采用。同时,士兰微电子还大力投入了目前最先进的SiC(碳化硅)和AaN(
氮化镓)化合物材料功率器件的研发。
S-Rin™系列高压耗尽型MOS产品
SVD501DEAG
F-Cell™系列高压MOS产品
SVF1 N60M.MJ.B.D.N
SVF2N60T.F.M. MJ.D.N.NF
SVF2N65F.N.MJ
SVF2N70F.M.D.NF.MJ
SVF2N80AD
SVF3N80T.F.M.MJ.D
SVF4N60T.F.M.MJ.K.D
SVF4N65T.F.M.D.MJ.K.S
SVF4N70F
SVF4N80F.D.MJ
SVF830T. F. D. MJ.M
SVF5N60T.F.MJ.D
SVF5N80T.F.MJ
SVF6N60F,MJ,D,S
SVF6N70F,MJ
SVF7N60.T.F.MJ.S.K
SVF7N65F.K.S
SVF7N80F
SV F840T, F, D,S
SVF8N60T.F
SVF8N65T
SVF8N70F
SVF8N80T,F
SV户10N60T, F, S, K
SVF10N60AF
SVF10N65T, F, K,S
SVF12N60T. F. S. K
SVF12N65T, F, K,S
SVF13N50T. F. PN
SVF13N60AF
SVF18N50T. F. PN
SVF20NE50PN
SVF20NE60PN
SVF20N50F.PN
SVF20N60F.PN
SVF9N65F
SVF9N90 F. PN
SVF3N50D.MJ
SVF4N90F
SVF9N60T
SVFiN65MJ
SVF18N60F
SVF7N65AF
SVF740F,T
SVF10N80F,K
SVF2NSOF,D,NF,MJ
SVF11N90PN
SVF730M,F,T,D
SVF23N50PN
SVF25NE50PN
SVF1N50B
SVF18NE50PN
SVF11N60F, T
SVF11NE90PN
SVF7N65BF
SVF4N60BF
SVF14N50F
SVF18N65F