明启通电子主营TI、NXP、FSC、ON、FAIRCHILD、CHENMKO、VISHAY等品牌电子元器件,优势库存多,以下为部分优势库存参数: mos管FDT86113LZ产品参数: FET类型:N沟道; 技术:MOSFET(金属氧化物); 漏源电压(Vdss):60V; 电流-连续漏极(Id)(25°C时):4A(Tc); 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):5V,10V; 不同Id,Vgs时的RdsOn(最大值):100毫欧@1.5A,10V; 不同Id时的Vgs(th)(最大值):2.8V@250μA; 不同Vgs时的栅极电荷(Qg)(最大值):9nC@5V; Vgs(最大值):±16V; 不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值):340pF@25V; 功率耗散(最大值):3.3W(Tc); 工作温度:-55°C~150°C(TJ); 安装类型:表面贴装; 供应商器件封装:SOT-223; 封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA; mos管FQT7N10LTF产品参数: FET类型:N沟道; 技术:MOSFET(金属氧化物); 漏源电压(Vdss):60V; 电流-连续漏极(Id)(25°C时):4A(Tc); 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):5V,10V; 不同Id,Vgs时的RdsOn(最大值):100毫欧@1.5A,10V; 不同Id时的Vgs(th)(最大值):2.8V@250μA; 不同Vgs时的栅极电荷(Qg)(最大值):9nC@5V; Vgs(最大值):±16V; 不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值):340pF@25V; 功率耗散(最大值):3.3W(Tc); 工作温度:-55°C~150°C(TJ); 安装类型:表面贴装; 供应商器件封装:SOT-223; 封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA; mos管IRFM120ATF产品参数: FET类型:N沟道; 技术:MOSFET(金属氧化物); 漏源电压(Vdss):60V; 电流-连续漏极(Id)(25°C时):11A(Tc); 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):4.5V,10V; 不同Id,Vgs时的RdsOn(最大值):90毫欧@6A,10V; 不同Id时的Vgs(th)(最大值):2.5V@250μA; 不同Vgs时的栅极电荷(Qg)(最大值):9.3nC@10V; Vgs(最大值):±20V; 工作温度:-55°C~150°C(TJ); 安装类型:表面贴装; 供应商器件封装:SOT-223; 明启通电子主营TI、NXP、FSC、ON、FAIRCHILD、CHENMKO、VISHAY等品牌电子元器件。已具有一定的实力与规模.品种齐全,使本公司在行业中赢得客户的信任和支持,客户遍布全国各地及其它一些国家和地区。 网上报价为系统默认价格,实际价格请咨询明启通电子客服小妹!