明启通电子主营TI、NXP、FSC、ON、FAIRCHILD、CHENMKO、VISHAY等品牌电子元器件,优势库存多,以下为部分优势库存参数: mos管ZVN4206GTA产品参数: FET类型:N沟道; 技术:MOSFET(金属氧化物); 漏源电压(Vdss):55V; 电流-连续漏极(Id)(25°C时):5.5A(Tc); 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):10V; 不同Id,Vgs时的RdsOn(最大值):150毫欧@5A,10V; 不同Id时的Vgs(th)(最大值):4V@1mA; 不同Vgs时的栅极电荷(Qg)(最大值):5.6nC@10V; 工作温度:-55°C~150°C(TJ); 安装类型:表面贴装; 供应商器件封装:SOT-223; 封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA; mos管ZVN4306GTC产品参数: FET类型:N沟道; 技术:MOSFET(金属氧化物); 漏源电压(Vdss):55V; 电流-连续漏极(Id)(25°C时):3.5A(Ta); 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):5V; 不同Id,Vgs时的RdsOn(最大值):80毫欧@5A,5V; 不同Id时的Vgs(th)(最大值):2V@1mA; 不同Vgs时的栅极电荷(Qg)(最大值):11.2nC@5V; Vgs(最大值):±13V; 不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值):650pF@25V; 功率耗散(最大值):1.8W(Ta),8.3W(Tc); 工作温度:-55°C~150°C(TJ); 安装类型:表面贴装; 供应商器件封装:SOT-223; 封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA; mos管PHT11N06LT产品参数: FET类型:N沟道; 技术:MOSFET(金属氧化物); 漏源电压(Vdss):55V; 电流-连续漏极(Id)(25°C时):5.5A(Tc); 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):10V; 不同Id,Vgs时的RdsOn(最大值):150毫欧@5A,10V; 不同Id时的Vgs(th)(最大值):4V@1mA; Vgs(最大值):±20V; 不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值):230pF@25V; 功率耗散(最大值):8W(Tc); 工作温度:-55°C~150°C(TJ); 安装类型:表面贴装; 供应商器件封装:SC-73; 封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA; 明启通电子主营TI、NXP、FSC、ON、FAIRCHILD、CHENMKO、VISHAY等品牌电子元器件。已具有一定的实力与规模.品种齐全,使本公司在行业中赢得客户的信任和支持,客户遍布全国各地及其它一些国家和地区。 网上报价为系统默认价格,实际价格请咨询明启通电子客服小妹!