明启通电子出售FDN304P-NL场效应管,诚信经营,品质保证,欢迎订购。 FDN304P-NL场效应管产品参数及功能如下: FET类型:P沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):20V 电流-连续漏极(Id)(25°C时):780mA(Ta) 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):2.7V,4.5V 不同Id,Vgs时的RdsOn(最大值):600毫欧@610mA,4.5V 不同Id时的Vgs(th)(最大值):1.5V@250μA 不同Vgs时的栅极电荷(Qg)(最大值):3.6nC@4.45V Vgs(最大值):±12V 不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值):97pF@15V 功率耗散(最大值):540mW(Ta) 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:Micro3?/SOT-23 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 产品广泛应用于消费类产品,如鼠标,监控,蓝牙,移动电源 网上价格为系统默认价格,具体价格请咨询明启通电子客服!有需要FDN304P-NL场效应管的可以随时联系我们哦!