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明启通电子出售IRFML8244TRPBF场效应管，诚信经营，品质保证，欢迎订购。 IRFML8244TRPBF场效应管产品参数及功能如下： FET类型：N沟道 技术：MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）：25V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）：5.8A（Ta） 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V 不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：24毫欧@5.8A，10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）：2.35V@10μA 不同Vgs时的栅极电荷（Qg）（最大值）：5.4nC@10V Vgs（最大值）：±20V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：430pF@10V 功率耗散（最大值）：1.25W（Ta） 工作温度：-55°C~150°C（TJ） 安装类型：表面贴装 供应商器件封装：SOT-23 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 产品广泛应用于消费类产品，如鼠标，监控，蓝牙，移动电源 网上价格为系统默认价格，具体价格请咨询明启通电子客服！有需要IRFML8244TRPBF场效应管的可以随时联系我们哦！