深圳市明启通电子有限公司

我司出售FDN5618P-NL场效应管，诚信经营，品质保证，欢迎订购。 FDN5618P-NL场效应管产品参数及功能如下： FET类型：P沟道 技术：MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）：60V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）：780mA（Ta） 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：2.7V，4.5V 不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：600毫欧@610mA，4.5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）：1.5V@250μA 不同Vgs时的栅极电荷（Qg）（最大值）：3.6nC@4.45V Vgs（最大值）：±12V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：97pF@15V 功率耗散（最大值）：540mW（Ta） 工作温度：-55°C~150°C（TJ） 安装类型：表面贴装 供应商器件封装：Micro3?/SOT-23 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 产品广泛应用于消费类产品，如鼠标，监控，蓝牙，移动电源 网上价格为系统默认价格，具体价格请咨询客服！有需要FDN5618P-NL场效应管的可以随时联系我们哦！