深圳市安科半导体科技有限公司

IGBT 维修IGBT模块
IGBT模块，IGBT可控硅，IGBT驱动，IGBT技术资料
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件， 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。
选择

IGBT模块的电压规格与所使用装置的输入电源即试电电源电压紧密相关。其相互关系见下表。使用中当IGBT模块集电极电流增大时，所产生的额定损耗亦变大。同时，开关损耗增大，使原件发热加剧，因此，选用IGBT模块时额定电流应大于负载电流。特别是用作高频开关时，由于开关损耗增大，发热加剧，选用时应该降等使用。
测量

静态测量:把万用表放在乘100档，测量黑表笔接1端子、红表笔接2端子，显示电阻应为无穷大 表笔对调，显示电阻应在400欧左右.用同样的方法，测量黑表笔接3端子、红表笔接1端子， 显示电阻应为无穷大 表笔对调，显示电阻应在400欧左右.若符合上述情况表明此IGBT的两个单元没有明显的故障.　动态测试: 把万用表的档位放在乘10K档，用黑表笔接4端子，红表笔接5端子，此时黑表笔接3端子红表笔接1端子， 此时电阻应为300-400殴，把表笔对调也有大约300-400殴的电阻表明此IGBT单元是完好的. 用同样的方法测试1、2端子间的IGBT，若符合上述的情况表明该IGBT也是完好的。　将万用表拨在R×10KΩ挡，用黑表笔接IGBT 的漏极(D)，红表笔接IGBT 的源极(S)，此时万用表的指针指在无穷处。用手指同时触及一下栅极(G)和漏极(D)，这时IGBT 被触发导通，万用表的指针摆向阻值 较小的方向，并能站住指示在某一位置。然后再用手指同时触及一下源极(S)和栅极(G)，这时IGBT 被阻 断，万用表的指针回到无穷处。此时即可判断IGBT 是好的。　注意：若进第二次测量时，应短接一下源极(S)和栅极(G)。　任何指针式万用表皆可用于检测IGBT。注意判断IGBT 好坏时，一定要将万用表拨在R×10KΩ挡，因R×1K Ω挡以下各档万用表内部电池电压太低，检测好坏时不能使IGBT 导通，而无法判断IGBT 的好坏。
IGBT的品牌有：
英飞凌，三菱，富士，东芝，三社，西门子，西门康，IXYS， eupec，等
■ IGBT模块、IGBT单管、IGBT驱动
● 英飞凌（EUPEC）: IGBT功率模块、单管IGBT、1单元、2单元、6单元（600V-6500V）
● 三 菱: IGBT模块、PIM、焊机模块（600V-2500V）
● 富 士: IGBT模块、IPM、PIM（600V-3300V）
● 艾赛斯: 半桥、全桥、三相桥、整流桥（660V-1700V）。
IGBT的品牌有：
英飞凌，三菱，富士，东芝，三社，西门子，西门康，IXYS， eupec，等
■ IGBT模块、IGBT单管、IGBT驱动
● 英飞凌（EUPEC）: IGBT功率模块、单管IGBT、1单元、2单元、6单元（600V-6500V）
● 三 菱: IGBT模块、PIM、焊机模块（600V-2500V）
● 富 士: IGBT模块、IPM、PIM（600V-3300V）
● 艾赛斯: 半桥、全桥、三相桥、整流桥（660V-1700V）
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件， 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。

深圳市安科半导体科技有限公司|||IGBT 维修IGBT模块