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3H-2000PS1型静态容量法多孔二氧化硅比表面及孔容分析仪

多孔二氧化硅比表面及孔容分析仪性能简介：

测试方法： 静态容量法

特征简列：

      ◆ BET比表面、外比表面、孔容孔径、孔面积、微孔分析等完备的数据报告；
      
      ◆ 具有国内领先独立的高精度饱和蒸汽压（P0）测试站；

      ◆ 具有精确的全自动液氮面伺服保持系统；

      ◆ 具有国内外领先的测试、脱气完毕自动恢复常压功能；

      ◆ 先进的智能自检流程，智能判断样品管是否安装，试管夹套是否拧紧；

      ◆ 具有国内外领先的样品预处理普通模式和分子置换模式两种模式； 

      ◆ 精确的分压点控制机制，可按设定要求对重点孔径段进行精细分析；

      ◆ 清晰形象的图形化控制界面，并可在界面上进行控制操作；

      ◆ 具有国内外领先的液氮杯防意外“安全下降”智能控制机制；

      ◆ 超强的稳定性，即使意外断电、断线，亦不会丢失当前数据，且实验可恢复继续进行；

      ◆ 强大的实验报告数据库化管理功能；

      ◆ 全程自动化智能化运行，亲和的语音操作提示；

      ◆ 软件界面自定义风格转换；

多孔二氧化硅比表面及孔容分析仪测试理论与报告内容：

1、吸附、脱附等温线；

2、BET单点法比表面SBET-O

3、BET多点法比表面SBET-M  ，BET常数CBET      

4、朗格缪尔（Langmuir）比表面S Langmuir ，朗格缪尔平衡常数b Langmuir   

5、统计吸附层厚度法外比表面（STSA）S外 

6、粒度估算报告和真密度； 

7、BJH法孔容孔径分布； 

8、MK-plate法（平行板模型）孔容孔径分布（为BJH法的补充，适合对片层状结构材料分析）；

9、 t-plot法（Boder）微孔分析； 

10、MP法(Brunauer) 微孔分析；

11、D-R法（Dubinin- Astakhov）微孔分析；

多孔二氧化硅比表面及孔容分析仪测试精度： 测试精度高、重现性好。重复性误差小于±2%；
 
测试范围：比表面0.01m2/g以上，孔径0.35-400nm；样品类型:粉末,颗粒,纤维及片状材料等可装入样品管的材料。

多孔二氧化硅比表面及孔容分析仪分析站数量：具有1个样品分析站，1个P0测试站，2个样品脱气站；

P0测试：具有独立的饱和蒸汽压（P0）测试站，保证分压测试的高准确性；

样品预处理： 主机自带一体式脱气装置，同时处理样品数量：2；两路脱气站具有独立温控，并具有独立定时功能，可支持与测试同步进行的不同温度与不同时间的样品脱气处理；

多孔二氧化硅比表面及孔容分析仪样品预处理模式：具有国内唯一的“普通加热抽真空分子扩散模式”和“分子置换模式”两种可选功能；分子置换模式相对分子扩散模式效率提高1倍以上，可节省一半以上的预处理时间，解决以往静态法样品制备时间长的问题； 

多孔二氧化硅比表面及孔容分析仪测试效率： 智能投气量控制，中小吸附量样品2-3min/分压点，中大吸附量样品3-5min/分压点；BET多点法15-30min/1个样品；BET单点法6-10min/1个样品；标准孔径测试60-120min/1个样品；精细孔径测试120-300min/1个样品；以上测试时间不包含样品预处理时间；

压力测试：压力测试范围0-1.6bar（0-160KPa），精度误差≤0.15%； 

多孔二氧化硅比表面及孔容分析仪液氮面控制：具有液氮面伺服保持系统，消除测试过程中由于液氮挥发使液氮面变化而带来的死体积变化，提高测试精度；