厦门航拓电气有限公司

6ES7315-2FH14-4AB1
6ES7315-6FF00-0AB0
6ES7315-6FF01-0AB0
6ES7315-6TG10-0AB0
6ES7315-6TH13-0AB0
6ES7316-1AG00-0AB0
6ES7316-2AG00-0AB0
6ES7317-2AJ10-0AB0这里只介绍动态存储器(DRAM)的工作原理。
动态存储器每片只有一条输入数据线，
而地址引脚只有8条。为了形成64K地址，必须在系统地址总线和芯片
地址引线之间专门设计一个地址形成电路。使系统地址总线信号能分时地加到8个地址的引脚上，
借助芯片内部的行锁存器、列锁存器和译码电路选定芯片内的存储单元，锁存信号也靠着外部地址电路产生。
当要从DRAM芯片中读出数据时，CPU首先将行地址加在A0-A7上，而后送出RAS锁存信号，
该信号的下降沿将地址锁存在芯片内部。接着将列地址加到芯片的A0-A7上，再送CAS锁存信号，
也是在信号的下降沿将列地址锁存在芯片内部。然后保持WE=1，则在CAS有效期间数据输出并保持。
当需要把数据写入芯片时，行列地址先后将RAS和CAS锁存在芯片内部，然后，WE有效，加上要写入的数据，则将该数据写入选中的存贮单元。
由于电容不可能长期保持电荷不变，必须定时对动态存储电路的各存储单元执行重读操作，以保持电荷稳定，
这个过程称为动态存储器刷新。PC/XT机中DRAM的刷新是利用DMA实现的。首先应用可编程定时器8253的计数器1，
每隔1⒌12μs产生一次DMA请求，该请求加在DMA控制器的0通道上。当DMA控制器0通道的请求得到响应时，
DMA控制器送出到刷新地址信号，对动态存储器执行读操作，每读一次刷新一行。
厦门航拓电气有限公司
  吴明：0592-5072087
  手机：18965131360
  传真：0592-5072083
  邮箱：411797695@qq.com
  QQ：411797695
  地址：厦门仙岳路582号16楼A单元
MVI69-ADMNET
MVI69-MNET
MVI69-MNETC
MVI69-HART
MVI69-DFCM
MVI69-GSC
MVI69-MCM
MVI69-PDPMV1
MVI69-PDPS
MVI56-ADM
MVI56-ADMNET
MVI56-MNET
MVI56-MNETC
MVI56-MNETCR
MVI56-MNETR
MVI56-HART
MVI56-AFC
MVI56-DFCM
MVI56-DFCMR
MVI56-DH485
MVI56-GSC
MVI56-MCM
MVI56-MCMR
MVI56-MBP
MVI56-PDPMV1
MVI56-PDPS
MVI94-ADM
MVI94-DFCM
MVI94-MCM
MVI71-ADM
MVI71-ADMNET 
MVI71-DFNT
MVI71-DNPSNET
MVI71-MNET
MVI71-HART
MVI71-AFC
MVI71-DFCM
MVI71-MCM
MVI46-ADM
MVI46-ADMNET 
MVI46-DFNT
MVI46-MNET
MVI46-MNETC
MVI46-HART
MVI46-AFC
MVI46-DFCM
MVI46-GSC