深圳智睿捷科技有限公司

找订做低压MOS管，就找智睿捷科技，服务周到，质量保证！！！ SI2301CDS规格 FET类型:P沟道 技术MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）:20V 电流:连续漏极（Id）（25°C时）:3.1A（Tc） 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）:2.5V，4.5V 不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）:112毫欧@2.8A，4.5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1V@250μA 不同Vgs时的栅极电荷（Qg）（最大值）:10nC@4.5V Vgs（最大值）±8V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:405pF@10V FET功能- 功率耗散（最大值）:860mW（Ta），1.6W（Tc） 工作温度:-55°C~150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:SOT-23-3（TO-236） 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 智睿捷科技，为LRC（乐山无线电）、Plingsemic台湾鹏领一级代理，分销：长电、ROHM、NXP、ON安森美、Panasoic、TOSHIBA、HITACHI、FAIRCHILD、IR等各种片状稳压、场效应、达林顿、变容、二、三极管，大量现货库存，提供订做低压MOS管业务，欢迎来电咨询智睿捷科技客服！ 网上订做低压MOS管的价格为系统默认价格，如需要了解具体产品及价格，欢迎咨询智睿捷科技客服小妹，谢谢！