江苏徐州佰晶能源科技发展有限公司

现货供应8寸156多晶硅片
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156*156多晶硅片规格标准：
 生长方法  Growth Method  DSS
 导电型号  Conductive Type  P
 掺杂剂  Dopant  B
 电阻率  Resistivity（ρ）  1.0 -3.0Ω?cm 
 少子寿命  Minority Carrier Lifetime  ≥2μs(brick 硅块)
 氧含量  Oxygen Content(oi)  ≤1.0*1018 at/cm3
 碳含量  Carbon Content(c)  ≤1.0*1017 at/cm3
 硅片尺寸  Size  156*156±0.5mm
 倒角线角度  Bebel Edge Angle  45°± 10°
 倒角线宽度  Bebel Edge Width  0.5-2mm
 硅片厚度  Thickness  200±20 μm
 总厚度变化  TTV  ≤30μm
 线痕  Saw Mark  ≤15μm
 弯曲度/翘曲度  Bow/Warp  ≤75μm
 崩边  chip  深度<0.3mm；长度<0.5mm。
 微裂纹  Crack  不允许
 外观  Appearance  目视检查无污点,缺口,孔洞和裂纹
 晶粒尺寸  Crystal Grain  ≥1cm2
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1. 类型：P型；2. 尺寸：156×156±0.5mm；3. 厚度：200±20 us；4.  电阻：0.8~3Ω?cm
5. 少子寿命：≥ 2us；6. 损伤层：无；7. TTV：≤50um；8. 垂直度：90°±0.3°
9.  翘角度：≤ 40um；10. 氧含量：＜4×10 17cm－3  11. 碳含量：＜2×1018 cm－3
12. 表面完整光洁，无油污等水痕现象，无裂纹，针孔及明显的切割线。