合肥市联信电源有限公司

逆变电源的构成除了包括逆变电路和控制电路外，还要有输入、输出电路，辅助电路和保护电路。今天联信电源就和大家谈谈逆变电源功率开关的选择。
      小容量逆变电源因为输出容量小，电压和电流不大，因此开关器件多选用电力MOSFET。而大容量正弦波输出的逆变电源因其电压电流一般都比较大，因此多采用IGBT作为它的开关器件。  
      本文主要研究的是50Hz，1kW的低频逆变电源。基于以上的分析，主电路采用MOSFET作为开关器件。
      MOSFET型号的选择可以从器件的电压等级和电流等级两个方面加以考虑。假定逆变器最高直流输入电压为Uimax，则采用全桥逆变电路时每个开关器件所承受的电压即为UimaxN1/N2.考虑电压尖峰影响，实际开关器件所承受的最高电压要比这个高得多，其大小与吸收电路吸收电压尖峰的能力有关。在这里我们由于逆变器最高直流输入电压为285V，所以我们选用耐压等级为600V的MOSFET. 
      器件的电流等级要根据它所通过的最大峰值电流来确定。假定系统输出功率为Po，变压器的变比为21NN，假设系统的过载系数为1.2，逆变桥中每个MOSFET电流应力为变压器原边最大电流，则逆变桥中每个MOSFET中流过的电流峰值为:Im=3I1m=3*5.5*1.87≈31(A).此外，考虑电流纹波以及反并联二极管反向恢复尖峰电流等因素的影响，选MOSFET的电流定额为36A。