浙江森本科技有限公司

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[供应]森本办事处投标SBD1107-YQL40 免维护节能防爆吸顶灯防爆吸顶
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  • 产品产地:浙江
  • 产品品牌:森本
  • 包装规格:SBD1107-YQL40
  • 产品数量:1000
  • 计量单位:套
  • 产品单价:10.00
  • 更新日期:2019-06-18 11:19:09
  • 有效期至:2029-06-15
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森本办事处投标SBD1107-YQL40 免维护节能防爆吸顶灯防爆吸顶 详细信息

                  SBD1107-YQL40 免维护节能防爆吸顶灯

应用范围:                                                                                                                                 
      SBD1107-YQL40适用于‖A、‖B、‖C类含有爆炸性气体或蒸汽环境,温度组别为T1~T4的1区、2区室内外危险场所或20区、21区22区爆炸性或可燃性粉尘室内外场所的一般照明或应急照明

、材质特点:
      防爆型式隔爆型,SBD1107-YQL40适用于爆炸性气体环境场所作照明使用。
      灯具为整体式结构,SBD1107-YQL40内装光源和镇流器等电器。
      SBD1107-YQL40外壳由铝合金压铸成型,外壳表面聚酯粉末喷涂,具有良好的耐腐蚀性能。
      玻璃罩钢化处理,透光率高,安全耐冲击。
      灯具设有橡胶密封垫,密封可靠,防护性能好。
      SBD1107-YQL40适用于吸顶安装。
      SBD1107-YQL40可另配置防爆应急电源装置,当供电网络突发故障正常照明停止后,灯具能在瞬间自动切换到应急照明状态。应急事件60至90分钟二档可选。
      SBD1107-YQL40适用电磁感应灯光源。光源具有超长使用寿命、发光效率高、光线柔和、抗震性能好等优点,长期使用免维护。

三、技术参数:
      防爆标志:Exed‖CT4。粉尘防爆标志:DIP A20 TA.T4
      外壳防护等级:IP66。
      防腐等级:WF2。
      适用光源:电磁感应灯50W。
      额定工作电压:220V、50Hz。
      引入口:G3/4“或φ44mm。
      电缆外径:φ9~φ12.5mm

 

 半导体PN结在正向偏置时电流很大,反向偏置时电流很小。整流二极管就是利用PN结的这种单向导电特性将交流电流变为直流的一种PN结二极管。通常把电流容量在1安以下的器件称为整流二极管,1安以上的称为整流器。常用的半导体整流器有硅整流器和硒整流器,产品规格很多,电压从几十伏到几千伏,电流从几安到几千安。整流器广泛用于各种形式的整流电源中。  整流器大功率整流电源要求整流器的电流容量大、击穿电压高、散热性能好,但这种器件的结面积大、结电容大,因而工作频率很低,一般在几十千赫以下。硅材料的禁带宽度较大,导热性能良好,适于制作大功率整流器件。在耐高压的整流装置中常采用高压硅堆,它由多个整流器件的管芯串联组成,其反向耐压由管芯的耐压及串联管芯数决定,最高耐压可达几百千伏。如果高频整流电路用于很高频率下,当交流电压的周期与整流器通态到关态的恢复时间相当时,整流器对高频电压不再起整流作用。为适应高频工作的需要,通常在硅整流器中采用掺金的方法,以缩短注入少数载流子的寿命,从而达到减小恢复时间的目的。

  为了减小器件因过压击穿造成损坏的可能性和提高整流装置的可靠性,可采用硅雪崩整流器。在这种器件中,当反向电压超过允许峰值时,在整个PN结上发生均匀的雪崩击穿,器件可工作在高压大电流下,故能承受相当大的反向浪涌功率。制作这种器件时要求材料缺陷少,电阻率均匀,结面平整,外露结区还应进行适当保护,避免发生表面击穿。硒整流器的抗过载容量大,承受反向浪涌功率的能力也较强。

2作用

  整流器是一个整流装置,简单的说就是将交流(AC)转化为直流(DC)的装置。它有两个主要功能:

  第一,将交流电(AC)变成直流电(DC),经滤波后供给负载,或者供给逆变器;

    [1]第二,给蓄电池提供充电电压。因此,它同时又起到一个充电器的作用。

3三极管参数

  三极管的hFE参数与贮存时间ts相关,一般hFE大的三极管ts也较大,过去人们对ts的认识以及ts的测量仪器均较为欠缺,人们更依赖hFE参数来选择三极管。

  整流器在开关状态下,hFE的选择通常有以下认识:第一、hFE应尽可能高,以便用最少的基极电流得到最大的工作电流,同时给出尽可能低的饱和电压,这样就可以同时在输出和驱动电路中降低损耗。

  但是,如果考虑到开关速度和电流容限,则hFE的最大值就受到限制;第二、中国的厂家曾经倾向于选用hFE较小的器件,例如hFE为10到15,甚至8到10的三极管就一度很受欢迎(后来,由于基极回路流行采用电容触发线路,hFE的数值有所上升),hFE的数值小则饱和深度小,从而有利于降低晶体管的发热。

  实际上,晶体管的饱和深度受到Ib、hFE两个因素的影响,因而通过磁环及绕组参数、基极电阻Rb的调整,也可以降低饱和深度。


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