深圳市协创缘科技有限公司

   协创缘依靠国内外先进的深圳LED光电材料加工技术，开发生产了多种深圳LED光电材料加工产品。公司主营业务黑白胶、背光源模切产品，为广大客户创造了良好的用户体验。目前，协创缘设有研发、生产、销售、服务等完整体系，拥有一支高素质的研发团队，我司研制的黑白双面胶生产操作简单，性能齐全，具有极高的性价比，为众多客户青睐。

   深圳市协创缘科技有限公司于2014-06-03在深圳市宝安区福永街道凤凰工业区兴业一路50号第四层南注册成立以来，从事工农业、加工制造、电工电气产品加工领域。目前，分公司及办事处已遍布全国多个城市及地区。建立起了一个以深圳市、宝安区为中心，覆盖全国的产品经销和服务网络。 延伸拓展 详情介绍：深圳LED光电材料加工生产的光电材料是指用于制造各种光电设备(主要包括各种主、被动光电传感器光信息处理和存储装置及光通信等)的材料，主要包括红外材料、激光材料、光纤材料、非线性光学材料等。下面主要介绍一下红外材料、激光材料及其在军事领域的应用。红外探测材料包括硫化铅、锑化铟、锗掺杂(金、汞)、碲锡铅、碲镉汞、硫酸三甘酞、钽酸锂、锗酸铅、氧化镁等一系列材料，锑化铟和碲镉汞是目前军用红外光电系统采用的主要红外探测材料，特别是碲镉汞(Hg-Cd-Te)材料，是当前较成熟也是各国侧重研究发展的主要红外材料。它可应用于从近红外、中红外、到远红外很宽的波长范围，还具有以光电导、光伏特及光磁电等多种工作方式工作的优点，但该材料也存在化学稳定性差、难于制成大尺寸单晶、大面积均匀性差等缺点，Hg-Cd-Te现已进入薄膜材料研制和应用阶段，为了克服该材料上述的缺点，国际上探索了新的技术途径:(1)用各种薄膜外延技术制备大尺寸晶片，这些技术包括分子束外延(MBE)、液相外延(LPE)和金属有机化合物气相淀积(MOCVD)等。特别是用MOCVD可以制出大面积、组分均匀、表面状态好的Hg-Cd-Te薄膜，用于制备大面积焦平面阵列红外探测器。国外用MOCVD法已制成面积大于5cm2、均匀性良好、Δx=0.2±0.005、工艺重复性好的碲镉汞单晶薄膜，64×64焦平面器件已用于型号系统、512×512已有样品。(2)寻找高性能新红外材料取代Hg-Cd-Te，主要包括:Hg-Mn-Te和Hg-Zn-Te，美国和乌克兰等国从80年代中就开展了这方面的研究，研究表明，Hg1-xZnxTe和Hg1-xCdxZnyTe的光学特性和碲镉汞很相似，但较容易获得大尺寸、低缺陷的单晶，化学稳定性也更高。Hg1-xMnxTe是磁性半导体材料，在磁场中的光伏特性与碲镉汞几乎相同，但它克服了Hg-Te弱键引起的问题。②高温超导材料，现处于研究开发阶段，已有开发成功的产品。③Ⅲ-V超晶格量子阱化合物材料，可用于8~14μm远红外探测器，如:InAs/GaSb(应变层超晶格)、GaAs/AlGaAs(量子阱结构)等。④SiGe材料，由于SiGe材料具有许多独特的物理性质和重要的应用价值，又与Si平面工艺相容，因此引起了微电子及光电子产业的高度重视。SiGe材料通过控制层厚、组分、应变等，可自由调节材料的光电性能，开辟了硅材料人工设计和能带工程的新纪元，形成国际性研究热潮。Si/GeSi异质结构应用于红外探测器有如下优点:截止波长可在3~30μm较大范围内调节，能保证截止波长有利于优化响应和探测器的冷却要求。Si/GeSi材料的缺点在于量子效率很低，目前利用多个SiGe层来解决这一问题

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