通用描述:
这些n沟道增强型功率场效应晶体管是
使用专有的产生飞兆,平面条纹,DMOS结
构技术。这种先进技术特别适合减少使
用状态阻力,提供优越的开关性能和承受
的高能脉冲雪崩和交换模式。这些设备
都适合低电压应用,如汽车、直流/直流
转换器和高效转换为电力管理在便携式
和电池供电的产品。
特性:
?52.4 a,60 V,RDS()= 0.021Ω@VGS= 10 V
?低门电荷(典型的24.5数控)
?低crs(典型的90 pF)
?快速交换
?100%雪崩测试