冀州市博宇水工机械厂

1、紫外芯片的波段

　　目前，世界上研究近紫外led的机构主要有日本的日亚Nichia，Toshiba公司和美国的Cree公司，台湾的国立中兴大学，韩国的Optowell公司及国内的北京大学等。

　　日本凭借其在蓝光LED领域的先发优势，在UV-LED方面的进展举世瞩目。尤其是日亚公司，在365nmUV-LED的研究上遥遥领先；美国在深紫外的研究方面领先，但是近年已经被日本超越；中国台湾和韩国起步相对较晚，但在该领域也取得了一些进展；国内在该领域近年来发展很快，但与海外相比差距还比较大。

　　紫外LED芯片主要是GaN类半导体，目前通过调节反应条件和反应工艺已可以实现深紫外（λ＜300nm）、紫外（300nm＜λ＜380nm）和近紫外（380nm＜λ）芯片的制备。具体的芯片波长包括：250±5nm，260±5nm，270±5nm，280±5nm，290±5nm，300±5nm，310±5nm，320±5nm，330±5nm，340±5nm，350±5nm，360±5nm，370±5nm，380±5nm，390±5nm，400±5nm，410±5nm，420±5nm等。

　　2、紫外芯片的厂商及其产品性能

　　对于紫外芯片，目前小于370nm的紫外LED的发射强度极低，尚没有实用价值，现紫外LED芯片研制和生产领域都在努力提高370~42推荐：www.zhongyifengliao.com www.5060333.com www.bddanfengyan.com www.ruxianzhiliaowang.com
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0nm波段的芯片效率。

　　在紫外芯片厂商中，比较有代表性的是日本的日亚、美国的Cree和SemiLEDs等。其中日本日亚公司能提供的辐射能为22 mW，外量子效率为35.5%，波长为400 nm的紫外芯片，美国cree公司则可以提供的辐射能为21 mW的395nm～410 nm的紫外芯片。另外台湾现在可以向市场提供4 mW左右的紫外芯片，台湾紫外芯片的实验室水平可以实现7～8 mW的水平。而国内的公司可以向市场提供2 mW左右的紫外芯片。下表为目前生产360nm以上波长紫外芯片有代表性的公司及其相应产品的性能。