肖特基二极管的结构:
新型高压肖特基二极管的结构和材料与传统肖特基二极管是有区别的。传统SBD是通过金属与半导体接触而构成。金属材料可选用铝、金、钼、镍和钛等,半导体通常为硅(Si)或砷化镓(GaAs)。由于电子比空穴迁移率大,为获得良好的频率特性,故选用N型半导体材料作为基片。为了减小SBD的结电容,提高反向击穿电压,同时又不使串联电阻过大,通常是在N+衬底上外延一高阻N-薄层。CP是管壳并联电容,LS是引线电感,RS是包括半导体体电阻和引线电阻在内的串联电阻,Cj和Rj分别为结电容和结电阻(均为偏流、偏压的函数)。
广东固锝电子科技有限公司专业生产销售肖特基二极管二十多年,电流主要分为1A、2A、3A、5A、8A、10A、15A、20A、30A、45A,广泛用于各类电源及消费类电子产品中。
整流二极管的损坏原因:
运行管理欠佳。值班运行人员工作不负责任,对外界负荷的变化(特别是在深夜零点至第二天上午6点之间)不了解,或是当外界发生了甩负荷故障,运行人员没有及时进行相应的操作处理,产生过电压而将整流管击穿损坏。
广东固锝电子科技有限公司专业生产销售各类整流二极管二十多年,产品包括:普通OJ芯片整流二极管、玻璃钝化(GPP)整流二极管、快恢复整流二极管、超快恢复整流二极管、高效整流二极管、肖特基整流二极管等。