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多晶硅定向凝固炉
用途:太阳能级硅锭制造,也可以用于其他半导体材料提纯。
特点:控制精度高,结晶速度自由调节,采用感应熔炼法,增加溶液搅拌,熔炼速度快,定向凝固保温采用特制加热电源,具有三相电流平衡,维护费用低,采用恒温度控制仪,可设置148段加热工艺曲线,炉室采用三室真空炉体,真空度高,抽气速度快。
技术参数
熔炼容量:10-300KG
电源功率:50-400KW
升温速率:40℃
炉温均匀性: ±5℃
极限真空度 :6.67×10-2Pa
压升率:0.01PaL/S
额定充气压力:0.05Mpa
铸锭方式:下降定向凝固
伺服控制范围: 0.01mm-6mm/Min
定向凝固速率:0.03mm-0.5mm/Min
坩埚上升速度 :80-100 mm/Min
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