11.ESD/TVS静电保护二极管RUE002N02型号参数: FET类型:N沟道; 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):20V 电流-连续漏极(Id)(25°C时):200mA(Ta) 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):1.2V,2.5V 不同?Id,Vgs时的?RdsOn(最大值):1.2欧姆@200mA,2.5V 不同Id时的Vgs(th)(最大值):1V@1mA Vgs(最大值):±8V 不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值):25pF@10V 功率耗散(最大值):150mW(Ta) 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:EMT3 封装/外壳:SC-75,SOT-416 12.ESD/TVS静电保护二极管WPM2019-3/TR型号参数: 产品:MOS(场效应管) 连续漏极电流(Id)(25°C时):550mA 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压(最大值):900mV@250uA 漏源导通电阻(最大值):810mΩ@450mA,4.5V 类型:P沟道 功率耗散(最大值):220mW 深圳市福田俊腾源电子有限公司成立于2013年,是一家从事半导体器件科研、生产、OEM、销售为一体的高新技术企业。福田俊腾源电子秉承“诚信、认真、执着、乐观”的理念,不断地提高企业的竞争力,向客户企业提供规范化、专业化、全方位的优质服务。 公司分销:AMAZING、ROHM、NXP、ON、Panasoic、TOSHIBA、HITACHI、FAIRCHILD、IR等各种片状稳压、场效应管、达林顿、变容、ESD、TVS管、二三极管。经销的产品广泛用于消费类电子、LED、家电、网络通讯、安防、汽车电子、航空、电表、仪器仪表、电源、计算机及外设等行业。 网上显示RUE002N02和WPM2019-3/TR价格为系统默认价格,具体价格请咨询福田俊腾源电子客服。