深圳市福田俊腾源电子商行

68.ESD/TVS静电保护二极管RUM002N02型号参数：FET类型：N沟道； 技术：MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）：20V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）：200mA（Ta） 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：1.2V，2.5V 不同?Id，Vgs时的?RdsOn（最大值）：1.2欧姆@200mA，2.5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）：1V@1mA Vgs（最大值）：±8V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：25pF@10V 功率耗散（最大值）：150mW（Ta） 工作温度：150°C（TJ） 安装类型：表面贴装 供应商器件封装：VMT3 封装/外壳：SOT-723 69.ESD/TVS静电保护二极管RZM002P02型号参数： FET类型：P沟道 技术：MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）：20V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）：200mA（Ta） 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：1.2V，4.5V 不同?Id，Vgs时的?RdsOn（最大值）：1.2欧姆@200mA，4.5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）：1V@100μA 不同Vgs时的栅极电荷?（Qg）（最大值）：1.4nC@4.5V Vgs（最大值）：±10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：115pF@10V 功率耗散（最大值）：150mW（Ta） 工作温度：150°C（TJ） 安装类型：表面贴装 供应商器件封装：VMT3 封装/外壳：SOT-723 70.ESD/TVS静电保护二极管NTA4151PT1G型号参数： FET类型：P沟道 技术：MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）：20V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）：760mA（Tj） 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：1.8V，4.5V 不同?Id，Vgs时的?RdsOn（最大值）：360毫欧@350mA，4.5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）：450mV@250μA 不同Vgs时的栅极电荷?（Qg）（最大值）：2.1nC@4.5V Vgs（最大值）：±6V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：156pF@5V 功率耗散（最大值）：301mW（Tj） 工作温度：-55°C~150°C（TJ） 安装类型：表面贴装 供应商器件封装：SC-75，SOT-416 公司分销：AMAZING、ROHM、NXP、ON、Panasoic、TOSHIBA、HITACHI、FAIRCHILD、IR等各种片状稳压、场效应管、达林顿、变容、ESD、TVS管、二三极管。经销的产品广泛用于消费类电子、LED、家电、网络通讯、安防、汽车电子、航空、电表、仪器仪表、电源、计算机及外设等行业。 网上显示RUM002N02RZM002P02和NTA4151PT1G价格为系统默认价格，具体价格请咨询福田俊腾源电子客服。