深圳市中冀联合通讯技术有限公司

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半导体第一品牌【中冀联合，韩先生，13823281061】深圳中冀联合科技股份有限公司创立于2006年，是国内领先的无线通讯卫星导航产品测试解决方案供应商，公司下设射频事业处和半导体事业处，我们围绕客户的需求持续创新，我们将多元产品标准化为客户节约测试成本，多元化配套产品解决了测试复杂产品选型问题节约了客户的采购时间，实现设备配件耗材一体化供应，在业界享有"通讯微波器件百货"之称。

　　二、三极管促进并带来了“固态革命”，进而推动了全球范围内的半导体电子工业。作为主要部件，它及时、普遍地首先在通讯工具方面得到应用，并产生了巨大的经济效益。由于晶体管彻底改变了电子线路的结构，集成电路以及大规模集成电路应运而生，这样制造像高速电子计算机之类的高精密装置就变成了现实。三极管的基本结构是两个反向连结的PN结面，可有PNP和NPN两种组合。三个接出来的端点依序称为发射极（emitter，E）、基极（base，B）和集电极（collector，C），名称来源和它们在三极管操作时的功能有关。
　　当没有被复合的空穴到达BC接面的耗尽区时，会被此区内的电场加速扫入集电极，空穴在集电极中为多数载体，很快藉由漂移电流到达连结外部的欧姆接点，形成集电极电流IC。IC的大小和BC间反向偏压的大小关系不大。基极外部仅需提供与注入空穴复合部分的电子流IBrec，与由基极注入射极的电子流InBE（这部分是三极管作用不需要的部分）。InBE在射极与与电洞复合，即InBE=IErec。PNP三极管在正向活性区时主要的电流种类可以清楚地射极注入基极的空穴流大小是由EB接面间的正向偏压大小来控制，和二极体的情形类似，在启动电压附近，微小的偏压变化，即可造成很大的注入电流变化
　　晶体三极管按材料分有两种：锗管和硅管。而每一种又有NPN和PNP两种结构形式，但使用最多的是硅NPN和锗PNP两种三极管，（其中，N表示在高纯度硅中加入磷，是指取代一些硅原子，在电压刺激下产生自由电子导电，而p是加入硼取代硅，产生大量空穴利于导电）。两者除了电源极性不同外，其工作原理都是相同的，下面仅介绍NPN硅管的电流放大原理。对于NPN管，它是由2块N型半导体中间夹着一块P型半导体所组成，发射区与基区之间形成的PN结称为发射结，而集电区与基区形成的PN结称为集电结，三条引线分别称为发射极e、基极b和集电极c。
　　在制造三极管时，有意识地使发射区的多数载流子浓度大于基区的，同时基区做得很薄，而且，要严格控制杂质含量，这样，一旦接通电源后，由于发射结正偏，发射区的多数载流子（电子）及基区的多数载流子（空穴）很容易地越过发射结互相向对方扩散，但因前者的浓度基大于后者，所以通过发射结的电流基本上是电子流，这股电子流称为发射极电流了。

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