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MJD45H11T4G 特点

MJD45H11T4G，采用DPAK/-55~150封装方式。
类型:PNP
集电极－发射集最小雪崩电压VCEO(V):80
集电极最大电流IC(Max)(A):8
直流电流增益hFE最小值(dB):40
直流电流增益hFE最大值(dB):－
最小电流增益带宽乘积Ft(MHz):50
总功耗PD(W):20
封装/温度(℃):DPAK/-55~150


变频器通用型号器件：
安森美功率晶体管：D45VH10G、D44VH10G、D45VH11G  D44VH11G 
MJD44H11T4G、MJD45H11T4G MBRD340T4G  UC2844BD1R2G优势价格！！