永康市敏通传感器厂

磁 敏 电 阻 元 件

铁氧体磁性层与非磁性层的多层薄膜在磁场作用下,其阻值发生很大的变化.该现象叫磁阻效应. 磁电阻（MR）传感器是利用具有磁电阻效应的磁性纳米金属多层薄膜材料,通过半导体集成工艺制作而成.具有体积小、灵敏度高、线性度好、线性范围宽、响应频率高、工作温度特性好、可靠性高、成本低等特点 . 
薄膜磁敏电阻元件的技术指标:
MTG-L1 MTG-L1M(加偏置磁钢)
工作电压 5V ~ 8V
工作磁场范围 0 Gs ~ +/-10 Gs  0 Gs ~ +/-50 Gs
标称阻值(KΩ) 1.6---3.2 1.6---3.2
对称性 小于1℅ 小于1℅
线性度 小于2℅ 小于1℅
灵敏度 0.5~1.2mV/V,Gs 0.1~0.4mV/V,Gs
标称阻值温度系数TCRO 0.09～0.12％/℃
磁阻温度系数TCVΔR/RO -0.1％/℃
磁阻温度系数TCIΔR/RO 0.031％/℃
频率特性 0----1000 KHz
工作温度 -40℃-------+150℃
封装 - TO  92

   封装：MTG-L1： TO-92  4*3*1.6mm  磁阻芯片在中心位置.
①. 信号输出; ②. GND; ③.Vcc
          
应用:
  1. 电子罗盘或电子指南针:航海,航空导航; 
2.地磁场检测,高精度磁补偿电流检测;
3.交通控制系统交通工具检测:车辆分类,是否有车辆存在或通过的运动方向;仃车场车辆存在与否检测.
4． 旋转电机的转速或速度检测; 齿轮传感器.
5．高速接近传感器；远距离(大于200mm)检测。