深圳市芯片解密研究所

SST39LF512芯片具体解密特性如下：
SST39LF512 FEATURES: 
? Organized as 64K x8 / 128K x8 / 256K x8 / 512K x8 
? Single Voltage Read and Write Operations 
– 3.0-3.6V for SST39LF512/010/020/040 
– 2.7-3.6V for SST39VF512/010/020/040 
? Superior Reliability 
– Endurance: 100,000 Cycles (typical) 
– Greater than 100 years Data Retention 
? Low Power Consumption (typical values at 14 MHz) 
– Active Current: 5 mA (typical) 
– Standby Current: 1 μA (typical) 
? Sector-Erase Capability 
– Uniform 4 KByte sectors 
? Fast Read Access Time: 
– 45 ns for SST39LF512/010/020/040 
– 55 ns for SST39LF020/040 
– 70 ns for SST39VF512/010/020/040 
? Latched Address and Data 
? Fast Erase and Byte-Program: 
– Sector-Erase Time: 18 ms (typical) 
– Chip-Erase Time: 70 ms (typical) 
– Byte-Program Time: 14 μs (typical) 
– Chip Rewrite Time: 
1 second (typical) for SST39LF/VF512 
2 seconds (typical) for SST39LF/VF010 
4 seconds (typical) for SST39LF/VF020 
8 seconds (typical) for SST39LF/VF040 
? Automatic Write Timing 
– Internal VPP Generation 
? End-of-Write Detection 
– Toggle Bit 
– Data# Polling 
? CMOS I/O Compatibility 
? JEDEC Standard 
– Flash EEPROM Pinouts and command sets 
? Packages Available 
– 32-lead PLCC 
– 32-lead TSOP (8mm x 14mm) 
– 48-ball TFBGA (6mm x 8mm) 
– 34-ball WFBGA (4mm x 6mm) for 1M and 2M 
? All de