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【高压MOSFET】士兰微SVF10N80F，K

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  士兰微将整合公司的射频和MCU产品技术能力，在智能照明等应用领域推出系统级解决方案，以满足日益增长的市场需求；士兰微在AC-DC转换电路方面拥有多项自主专利技术，已逐步推出多款符合六级能效（65W以下适配器、充电器）和低待机的新产品；而无刷直流电机驱动模块产品则集合了士兰微在IGBT等高压功率器件和高压集成电路方面多年的领先优势，形成了多款IPM模块封装外形和数十个IPM产品门类，可应用于20～1500W的变频电机驱动，满足直流无刷化、调速变频化的需求。
士兰微拥有完善的设计制造产业链，包括研发中心、流片工厂、测试工厂等，能够有效进行全程品质管控，具备良好的供货保障能力；实现了工艺技术和产品技术的紧密互动，在芯片设计研发、特殊器件研发和工艺制造平台上同步投入，具备了强大的工艺技术和产品开发能力。为更好地服务客户，士兰微电子设有专门的应用技术团队为客户提供系统方案支持，同时公司还有完整的分立器件产品线，可以提供绝大部分规格的MOSFET、FRD、SBD、IGBT等分立器件，方便客户进行采购及品质管理。随着更多新产品和新技术的推出，士兰微将持续为客户提供高性价比的电源产品！

概 述

   
该类方案主要以士兰微电子AC-DC产品为主控芯片，以手机充电器、DVD电源、DVB适配器及PC电源设计为主要应用方向。主芯片SD484X系列特性。


内置PWM控制电路和高压功率MOSFET。相对于控制电路和功率MOSFET分立来说，降低了成本，提高了电路的可靠性。
MOSFET的导通电阻最大值规格分别有：16.8欧姆、9.6欧姆、6.0欧姆、4.8欧姆、3.6欧姆。对应的峰值电流最大值为：0.6 A、0.75 A、0.90 A、1.20 A、1.50A。可以根据实际芯片所需的输出功率进行选择。
主芯片具有低功耗、低启动电流和较低的EMI，最高效率可以达到80％以上。
启动电压和输出电压均可调节，目前电路可以提供的功率范围为：窄电压范围5~18W，宽电压范围7~21W。
内置的15ms软启动电路，减小了主芯片启动时变压器的应力。
主芯片的开关频率为67KHz，振荡产生的频率抖动，可以降低EMI。
在待机模式下，主芯片进入打嗝模式，从而有效地降低主芯片的待机功耗。
主芯片内部集成了各种异常状态保护功能。包括欠压锁定，过压保护，脉冲前沿消隐，过流保护和温度保护功能。在主芯片发生保护以后，芯片可以不断自动重启，直到系统正常为止。
 
     
 
优 势


   
依托士兰集成650V MOSFET、650V BCD、25V BCD特殊工艺平台，优化了电源构架（正激、反激、半桥、有源箝位、临界导通、连续导通），可应用于交直流转换的电源产品。所涉及到的产品方案性能高，功耗低，属于绿色电源管理方案，方案实现便利。