二极管MOS管场效应管士兰微SVF2N65F       SVF2N65F .N.MJ
分立器件
以士兰微电子先进、稳定的芯片生产线工艺制造平台
和强大的产能为基础,公司开发出了多种半导体分立
器件产品,主要应用于高压功率和特殊结构的器件产
品领域,是国内最具规模的器件供应商,部分产品已
经入国际知名品牌企业并被大量采用。同时,士兰微
电子还大力投入了目前最先进的SiC(碳化硅)和AaN(
氮化镓)化合物材料功率器件的研发。
概 述
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该类方案主要以士兰微电子AC-DC产品为主控芯片,以手机充电器、DVD电源、DVB适配器及PC电源设计为主要应用方向。主芯片SD484X系列特性。
内置PWM控制电路和高压功率MOSFET。相对于控制电路和功率MOSFET分立来说,降低了成本,提高了电路的可靠性。
MOSFET的导通电阻最大值规格分别有:16.8欧姆、9.6欧姆、6.0欧姆、4.8欧姆、3.6欧姆。对应的峰值电流最大值为:0.6 A、0.75 A、0.90 A、1.20 A、1.50A。可以根据实际芯片所需的输出功率进行选择。
主芯片具有低功耗、低启动电流和较低的EMI,最高效率可以达到80%以上。
启动电压和输出电压均可调节,目前电路可以提供的功率范围为:窄电压范围5~18W,宽电压范围7~21W。
内置的15ms软启动电路,减小了主芯片启动时变压器的应力。
主芯片的开关频率为67KHz,振荡产生的频率抖动,可以降低EMI。
在待机模式下,主芯片进入打嗝模式,从而有效地降低主芯片的待机功耗。
主芯片内部集成了各种异常状态保护功能。包括欠压锁定,过压保护,脉冲前沿消隐,过流保护和温度保护功能。在主芯片发生保护以后,芯片可以不断自动重启,直到系统正常为止。