深圳市锐豪达电子科技有限公司

20V/6.0A，RDS(ON)=29mΩ@VGS=4.5V
20V/5.2A，RDS(ON)=42mΩ@VGS=2.5V
Super high density cell design for extremely low RDS(ON)
Exceptional on-resistance and m
场效应管。采用绝缘栅结构的晶体三极管，输入阻抗高，输出呈电阻态。现在用途广泛，包括电视机高频头（高频，小电流）到开关电源（高压大电流），现在把MOS和双极型（普通三极管）复合在一起（IGBT，绝缘栅双
MOS集成电路：
采用场效应管的集成电路，可有和TTL相同的逻辑功能，代表的有4000系列，现在很多CPU已经采用MOS电路。具有功耗低的特点。
为提高TTL电路性能，74HC系列就用MOS技术，大大 场效应管的作用
      1、场效应管可应用于放大。由于场效应管放大器的输入阻抗很高，因此耦合电容可以容量较小，不必使用电解电容器。
      2、场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。
      3、场效应管可以用作可变电阻。
      4、场效应管可以方便地用作恒
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