上海望爵电子科技有限公司

品牌 SEMIWILL 型号 MCR100-6 
控制方式 单向 极数 三极 
封装材料 塑料封装 封装外形 TO-92 
关断速度 高频(快速) 散热功能 不带散热片 
频率特性 高频 功率特性 小功率 
额定正向平均电流 0.8（A）  控制极触发电流 10-60（mA）  
反向重复峰值电压 400（V）    

MCR100-6系列单向可控硅晶闸管

■用 途 

广泛应用于脉冲点火器、负离子发生器、漏电保护器、小型马达控制器、灯具继电器激励器等功率控制线路。 

■特 征 

开关参数优良，输出电压高，通态压降低，触发特性灵敏一致，可靠性高。

■封装形式

TO-92

■参照型号

■极限值

 

名称
 符 号
 规范值
 单 位
 测 试 条 件
 
断态重复峰值电压
 VDRM
 400/600
 V
 IDRM=20μA
 
反向重复峰值电压
 VRRM
 400/600
 V
 IDRM=20μA
 
通态方均根电流
 IT(RMS)
 0.8
 A
 正弦波，180°
 
浪涌电流
 ITSM
 8
 A
 正弦波，60Hz
 
结温
 Tj
 125
 ℃
  
 
贮存温度
 Tstg
 -40~150
 ℃
  
 

■电特性(Ta=25℃)

名称
 符号
 测试条件
 最小值
 最大值
 单位
 
断态重复峰值电流
 IDRM
 VD=VDRM
 —
 0.1
 mA
 
通态电压
 VTM
 I=1A
 —
 1.6
 V
 
维持电流
 IH
 VD=12V，IT =20mA
 —
 5
 mA
 
擎住电流
 IL
 VD=12V，IGT =200μA
 —
 6
 mA
 
门极触发电流
 IGT
 VD=12V，RL=100Ω
 —
 120
 μA
 
门极触发电压
 VGT
 VD=12V，RL=100Ω
 —
 0.8
 V
 
门极不触发电压
 VGD
 VD=1/2 VDRM
 0.2
  
 V
 
断态电压临界上升率
 dVD/dt
 VDM=2/3VDRM，Tj=110℃，Gate open
 10
  
 V/μs
 

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